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| 规格书 |
 NTGD3149C |
| 文档 |
Multiple Devices 08/Apr/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.2A, 2.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 387pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-74, SOT-457 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.2A, 2.4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 387pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 3.5 A, - 2.7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 4.7 S, 5.1 S |
| RDS（ON） | 60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 功率耗散 | 900 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TSOP-6 |
| 栅极电荷Qg | 4.6 nC, 5.2 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 16.4 nS, 33.3 nS |
| 上升时间 | 3.8 nS, 5.3 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | +/- 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 2.4 nS, 29.5 nS |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 387pF @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | N and P-Channel |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| 功率 - 最大值 | 900mW |
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